碳化硅陶瓷具有强度高、硬度高、化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点。碳化硅作为特种陶瓷中的结构陶瓷类别，被广泛应用于各种先进制造领域。

反应烧结碳化硅（Reaction-Bonded Silicon Carbide, RBSC）是将原料成型体（碳化硅微粉、石墨、炭黑、粘结剂及各种添加剂）在1720度高温下通过固相，液相和气相相互间发生化学反应，同时进行致密化和规定组分的合成，得到近尺寸的烧结体过程。反应烧结碳化硅具有高温强度大、抗氧化性强、耐酸碱腐蚀性强、热稳定性能好、热导率高、硬度仅次于金刚石具有高耐磨性。现已被加工成碳化硅喷火嘴烧嘴套、横梁辊棒、冷风管、辐射管、碳化硅耐磨内衬等各种耐高温，耐磨，耐腐蚀性产品。并广泛应用于电力、钢铁、陶瓷、高温窑炉、矿山、煤炭、石油、化工、机械制造等各个行业领域，并得到社会各界的广泛认可。

然而随着国家高技术产业的快速发展和需求的增加，碳化硅市场前景愈发广阔，相应的应用要求也日趋严格。特别是在复杂碳化硅产品的制造方面，对航空航天、军工、新能源和半导体等前沿技术领域发展有着重要的战略意义。然而由于碳化硅陶瓷材料具有缺陷敏感性强、高温烧结变形大、烧结后难以加工等特点，较难使用有模成型技术实现大尺寸、复杂结构的碳化硅产品制造。相对高端前沿材料的应用普及就相形见绌，严重制约了其在高新技术的发展步伐。

尽管热等静压、挤压和注射成型已广泛用于碳化硅产品成型体的制备。而相比于传统的成型技术，3D打印技术具有智能、无模、精密、高复杂度的制造能力，它能够完成传统工艺不可能完成的制造。不过相对于塑料或金属有固定的熔点，通过加热融化后就可以进行粘贴。而碳化物陶瓷没有熔点，如碳化硅会在高温下氧化成二氧化硅，或者是其他的气体、激光的作用下直接分解，导致无法直接3D打印，需打印出一个素坯再去烧结。从碳化硅的素坏成型工艺环节入手，再结合反应烧结工艺特性，使烧成的碳化硅陶瓷毛坯达到近净成型，以减少后续加工量，并保证产品性能满足使用要求，这将成为复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的主要研究方向。

目前，大多数3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量较低、硅含量较高、力学性能较低。如直接墨水书写（DIW）的墨水中的固相含量太低，会导致陶瓷坯体致密度较低；激光打印在烧结过程中产生的热应力难以避免产生裂纹，导致最终产品力学性能较差；而粘结剂喷射（BJP）限制了粉末填充密度，导致SiC体积分数受限；立体光刻（SLA）虽然能够制备出高强度、高精度、高结构均一性和复杂性的陶瓷坯体，但由于碳化硅的吸光特性，导致其在制备碳化硅部件时仍存在诸多技术瓶颈。因此，在提高碳化硅陶瓷的加工效率、降低制备成本成为亟待解决的问题。

随着光伏、电子、半导体行业的崛起，科技的发展对芯片的需求量日益剧增，在晶圆制造的过程中普遍使用的石英晶圆载具，因其生产工艺和石英材料特性，使用寿命为3-6个月；而碳化硅晶圆载具代替石英，使用寿命可达5年以上，可显著降低使用成本及维护维修停线造成的产能损失。某半导体领域客户，利用PEP技术结合反应烧结工艺制造碳化硅晶圆载具，为晶圆载具的灵活结构设计提供了支持，3D打印的一体化制备有效减少制作周期和生产成本。制备的碳化硅晶圆载具具备纯度高、高温强度高、耐热冲击、耐腐蚀、耐磨损等优势，在下游客户生产中具备稳定性好、使用寿命长、维护成本低等优点。